| HGTD6N40E1S
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 400V | | | UGE | ±20V | | IC | 7.5A | | Ptot | 60W | | TON/TOFF | 90/24nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Harris Databook Power MOS...... [mehr] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | | Erweiterte Informationen zu HGTD6N40E1S | | OEM: | Harris Semic... [mehr] Harris Semiconductors | | Gehäuse: | TO-252AA | | Datenblatt (jpg): | - | | Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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