| HGTA32N60E2
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 50/200A | | Ptot | 208W | | TON/TOFF | 100/630nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Harris Databook Power MOS...... [mehr] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | | Erweiterte Informationen zu HGTA32N60E2 | | OEM: | Harris Semic... [mehr] Harris Semiconductors | | Gehäuse: | TO-218-5 | | Datenblatt (jpg): | verfügbar | | Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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