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HGTB12N60D1C


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±25V
IC DC/AC 12/40A
Ptot 75W
TON/TOFF 100/400nS
TJ 150°C
der HGTB12N60D1C ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 12A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Harris Databook Power MOS...... [mehr]
Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991
Erweiterte Informationen zu HGTB12N60D1C
OEM:Harris Semic... [mehr]
Harris Semiconductors
Gehäuse:TS-001-5
Datenblatt (jpg):verfügbar
Datenblatt (pdf):-
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