HGTD10N40F1S SI N-IGBT Transistor | | UCE | 400V | | UGE | ±20V | IC | 12A | Ptot | 75W | TON/TOFF | 45/130nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Harris Databook Power MOS...... [mehr] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | Erweiterte Informationen zu HGTD10N40F1S | OEM: | Harris Semic... [mehr] Harris Semiconductors | Gehäuse: | TO-252AA | Datenblatt (jpg): | - | Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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