HGTD6N40E1 SI N-IGBT Transistor | | UCE | 400V | | UGE | ±20V | IC | 7.5A | Ptot | 60W | TON/TOFF | 90/24nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Harris Databook Power MOS...... [mehr] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | Erweiterte Informationen zu HGTD6N40E1 | OEM: | Harris Semic... [mehr] Harris Semiconductors | Gehäuse: | TO-251AA | HGTD6N40E1 Datenblatt (jpg): | - | HGTD6N40E1 Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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