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P12
SI NPN darlington Transistor
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UCE/UCB
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10/20V
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IC
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-
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hFE
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>20000
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Ptot
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625mW
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fT
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-
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TJ
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150°C
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Photo:
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Quelle:
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KSP12
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| | Erweiterte Informationen zu P12 | | OEM: | Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD. | | Gehäuse: |
TO-92 | | P12 Datenblatt (jpg): | - | | P12 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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