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P06


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
der P06 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 80V, Ic = 500mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KSP06
Erweiterte Informationen zu P06
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P06 Datenblatt (jpg):-
P06 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
der P06 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 80V, Ic = 500mA, Anwend: Verstärker
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Quelle: KSP06
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IC 0.5A
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