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P14


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 10-20k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
der P14 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 30V, Ic = 500mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: KSP14
Erweiterte Informationen zu P14
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P14 Datenblatt (jpg):-
P14 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 10-20k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
der P14 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 30V, Ic = 500mA, Anwend: Universaltyp
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Quelle: KSP14
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Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
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GFX
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IC 0.5A
hFE 10-20k
Ptot 625mW
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