Lookbooks
R
X
G
Seite:

P11


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC -
hFE >60
Ptot 350mW
fT 650MHz
TJ 150°C
der P11 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Anwend: VHF- und UHF- Bereich
Photo: -
Quelle: KSP11
Erweiterte Informationen zu P11
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P11 Datenblatt (jpg):-
P11 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

P11


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC -
hFE >60
Ptot 350mW
fT 650MHz
TJ 150°C
der P11 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Anwend: VHF- und UHF- Bereich
Photo: -
Quelle: KSP11
Erweiterte Informationen zu P11
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P11 Datenblatt (jpg):-
P11 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

P11


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC -
hFE >60
Ptot 350mW
fT 650MHz
TJ 150°C
der P11 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Anwend: VHF- und UHF- Bereich
Photo: -
Quelle: KSP11
Erweiterte Informationen zu P11
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P11 Datenblatt (jpg):-
P11 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche