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B808


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
der B808 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB808
Erweiterte Informationen zu B808
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
B808 Datenblatt (jpg):-
B808 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD1012
Ähnliche Typen:2SA1705, [mehr]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
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B808


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
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UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
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2SD1012


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B808
GFX
UCE/UCB 15/20V
IC DC/AC 0.7/1.5A
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der 2SD1012 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD1012
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ: ↑2SB808
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Komplementär Typ zu B808
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UCE/UCB 15/20V
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Komplementär Typ zu B808
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der 2SD1012 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
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