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B811


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
der B811 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 1A, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: 2SB811
Erweiterte Informationen zu B811
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
B811 Datenblatt (jpg):-
B811 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD1021
Ähnliche Typen: ↓BC636, [mehr]
BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116
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UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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IC -1A
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SI PNP Transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
der B811 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 1A, Anwend: NF- Leistungsverstärker
Photo: -
Quelle: KSB811
Erweiterte Informationen zu B811
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse:TO-92S
B811 Datenblatt (jpg):-
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-
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-
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