Transistor B812 Datenblatt

B812

SI PNP Transistor

GFX

U_CE/U_CB

-60/-60V

I_C

-4A

h_FE

P_tot

60W

f_T

T_J

der B812 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor

Photo:

Quelle:

2SB812

Erweiterte Informationen zu B812
OEM:	Matsushita D... [mehr] Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:	TO-3P
B812 Datenblatt (jpg):	-
B812 Datenblatt (pdf):	-
OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ: ↓	2SD1032
Ähnliche Typen: ↓	BD246A, [mehr] BD246A,BDV92,2SA1141,2SB775,2SB776
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h_FE

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