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RT1N140M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der RT1N140M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
marking code: N7
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RT1N140M
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: SOT-323
RT1N140M Datenblatt (jpg):-
RT1N140M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

RT1N140M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der RT1N140M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
marking code: N7
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RT1N140M
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: SOT-323
RT1N140M Datenblatt (jpg):-
RT1N140M Datenblatt (pdf):-
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-
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-
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Bauteilsuche:Suche

RT1N140M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
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-
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