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RT1N137L


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 1A
hFE -
Ptot 900mW
fT 150MHz
TJ -
der RT1N137L ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 1A, Anwend: Rb 1kOhm, Rbe 22kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RT1N137L
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-92L
RT1N137L Datenblatt (jpg):-
RT1N137L Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

RT1N137L


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 1A
hFE -
Ptot 900mW
fT 150MHz
TJ -
der RT1N137L ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 1A, Anwend: Rb 1kOhm, Rbe 22kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RT1N137L
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-92L
RT1N137L Datenblatt (jpg):-
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-
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-
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Bauteilsuche:Suche

RT1N137L


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 1A
hFE -
Ptot 900mW
fT 150MHz
TJ -
der RT1N137L ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 1A, Anwend: Rb 1kOhm, Rbe 22kOhm integriert
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-
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-
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Bauteilsuche:Suche