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RN2102


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2102 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm, Rbe 10kOhm integriert
marking code: YB
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN2102
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:SSmini
RN2102 Datenblatt (jpg):-
RN2102 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

RN2102


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2102 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm, Rbe 10kOhm integriert
marking code: YB
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN2102
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:SSmini
RN2102 Datenblatt (jpg):-
RN2102 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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-
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Bauteilsuche:Suche

RN2102


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2102 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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-
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