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RN2017


SI PNP Transistor
GFX
UCB -50V
IC -0.5A
hFE -
Ptot -
fT -
TJ -
der RN2017 ist ein Silizium PNP Transistor, Ucb = 50V, Ic = 500mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 2.2kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN2017
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
RN2017 Datenblatt (jpg):-
RN2017 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

RN2017


SI PNP Transistor
GFX
UCB -50V
IC -0.5A
hFE -
Ptot -
fT -
TJ -
der RN2017 ist ein Silizium PNP Transistor, Ucb = 50V, Ic = 500mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 2.2kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN2017
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UCB -50V
IC -0.5A
hFE -
Ptot -
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der RN2017 ist ein Silizium PNP Transistor, Ucb = 50V, Ic = 500mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 2.2kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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