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B677


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
der B677 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB677
Erweiterte Informationen zu B677
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B677 Datenblatt (jpg):-
B677 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD687
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BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
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GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
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2SD687


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B677
GFX
UCE/UCB 40/60V
IC 3A
hFE >2000
Ptot 25W
TON/TOFF 0.1/1.2µS
TJ -
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
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Komplementär Typ zu B677
GFX
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IC 3A
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IC 3A
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TON/TOFF 0.1/1.2µS
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