R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 737 738738 739 740 741 742742 743 .. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B676


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
der B676 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB676
Erweiterte Informationen zu B676
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B676 Datenblatt (jpg):-
B676 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD686
Ähnliche Typen: ↓BD902, [mehr]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B676


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
der B676 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB676
Erweiterte Informationen zu B676
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B676 Datenblatt (jpg):-
B676 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD686
Ähnliche Typen: ↓BD902, [mehr]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B676


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
der B676 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB676
Erweiterte Informationen zu B676
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B676 Datenblatt (jpg):-
B676 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD686
Ähnliche Typen: ↓BD902, [mehr]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung