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B605


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 1W
fT 120MHz
TJ -
der B605 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 700mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: 2SB605
Erweiterte Informationen zu B605
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
B605 Datenblatt (jpg):-
B605 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD571
Ähnliche Typen: ↓BC638, [mehr]
BC638,2SA1705,2SB647,2SB910,2SB1116
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B605


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 1W
fT 120MHz
TJ -
der B605 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 700mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: 2SB605
Erweiterte Informationen zu B605
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
B605 Datenblatt (jpg):-
B605 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD571
Ähnliche Typen: ↓BC638, [mehr]
BC638,2SA1705,2SB647,2SB910,2SB1116
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SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 1W
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der B605 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 700mA, Anwend: Universaltyp
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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Komplementär Typ: ↓2SD571
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BC638,2SA1705,2SB647,2SB910,2SB1116
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