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B601


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
hFE >2000
Ptot 30W
fT -
TJ -
der B601 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 5A, Anwend: integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB601
Erweiterte Informationen zu B601
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-220
B601 Datenblatt (jpg):-
B601 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD560
Ähnliche Typen: ↓BD650, [mehr]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,2SB1339
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UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
hFE 2-15k
Ptot 30W
fT -
TJ 150°C
der B601 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 5A, Anwend: NF- Leistungsverstärker und Schalter für mittlere Frequenzen im industriellen Bereich
Photo: -
Quelle: KSB601
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Samsung Electronics CO. LTD.
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