R
X
G
Seite:

MGW20N120


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
TON/TOFF 191/474nS
TJ -
der MGW20N120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp)
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGW20N120
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-247
MGW20N120 Datenblatt (jpg):-
MGW20N120 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN12030E, [mehr]
GN12030E,GT25Q101
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

MGW20N120


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
TON/TOFF 191/474nS
TJ -
der MGW20N120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp)
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGW20N120
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-247
MGW20N120 Datenblatt (jpg):-
MGW20N120 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN12030E, [mehr]
GN12030E,GT25Q101
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

MGW20N120


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
TON/TOFF 191/474nS
TJ -
der MGW20N120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp)
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGW20N120
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-247
MGW20N120 Datenblatt (jpg):-
MGW20N120 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN12030E, [mehr]
GN12030E,GT25Q101
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche
Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GN12030E


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN12030E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN12030E Datenblatt (jpg):-
GN12030E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GT40T101, [mehr]
GT40T101,MGY25N120
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GN12030E


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN12030E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN12030E Datenblatt (jpg):-
GN12030E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GT40T101, [mehr]
GT40T101,MGY25N120
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GN12030E


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN12030E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN12030E Datenblatt (jpg):-
GN12030E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GT40T101, [mehr]
GT40T101,MGY25N120
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche
Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GT25Q101


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
der GT25Q101 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 25A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Ähnlicher Typ: GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F1C
GT25Q101 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT25Q101 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT25Q101


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
der GT25Q101 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 25A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Ähnlicher Typ: GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F1C
GT25Q101 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT25Q101 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT25Q101


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
der GT25Q101 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 25A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Ähnlicher Typ: GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F1C
GT25Q101 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT25Q101 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche
Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp