Lookbooks
R
X
G
Seite:

MGY20N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
fT -
TJ -
der MGY20N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGY20N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TOP-3L
MGY20N120D Datenblatt (jpg):-
MGY20N120D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

MGY20N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
fT -
TJ -
der MGY20N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGY20N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TOP-3L
MGY20N120D Datenblatt (jpg):-
MGY20N120D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

MGY20N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
fT -
TJ -
der MGY20N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGY20N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TOP-3L
MGY20N120D Datenblatt (jpg):-
MGY20N120D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:GN12030E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche