Lookbooks
R
X
G
Seite:

1N5821


SI Schottky Diode
UR 30V
IF 3A
- -
- -
UF / IF <0.5V/3A
TJ 125°C
die 1N5821 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5821
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-201AD
1N5821 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N5821 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N5821


SI Schottky Diode
UR 30V
IF 3A
- -
- -
UF / IF <0.5V/3A
TJ 125°C
die 1N5821 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5821
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-201AD
1N5821 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N5821 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N5821


SI Schottky Diode
UR 30V
IF 3A
- -
- -
UF / IF <0.5V/3A
TJ 125°C
die 1N5821 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5821
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-201AD
1N5821 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N5821 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N5821


SI Schottky Diode
UR 30V
IF 3A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die 1N5821 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 3A, Anwend: Niederspannungsdiode, Einsatz im Bereich hochfrequente Inverter, Freilaufdiode, Verpolungsschutz und Kleinladegeräte
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1N5821
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-201AD
1N5821 Datenblatt (jpg):-
1N5821 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N5821


SI Schottky Diode
UR 30V
IF 3A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die 1N5821 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 3A, Anwend: Niederspannungsdiode, Einsatz im Bereich hochfrequente Inverter, Freilaufdiode, Verpolungsschutz und Kleinladegeräte
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1N5821
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-201AD
1N5821 Datenblatt (jpg):-
1N5821 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N5821


SI Schottky Diode
UR 30V
IF 3A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die 1N5821 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 3A, Anwend: Niederspannungsdiode, Einsatz im Bereich hochfrequente Inverter, Freilaufdiode, Verpolungsschutz und Kleinladegeräte
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1N5821
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-201AD
1N5821 Datenblatt (jpg):-
1N5821 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche