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1N5819


SI Schottky Diode
GFX
UR 40V
IF 1A
- -
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TJ 125°C
die 1N5819 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 1A
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5819
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
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TJ 150°C
die 1N5819 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 1A, Anwend: Niederspannungsdiode, Einsatz im Bereich hochfrequente Inverter, Freilaufdiode, Verpolungsschutz und Kleinladegeräte
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SGS Thomson Microelectronics
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die 1N5819 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 1A, Anwend: Schaltnetzteile kleiner Leistung, Gleichrichter
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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die 1N5819 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 1A, Anwend: Schaltnetzteile kleiner Leistung, Gleichrichter
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD81
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