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BYV36E


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 1.5A
- -
trr 150nS
UF / IF <1.05V/1A
TJ 175°C
die BYV36E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 1.5A, Anwend: Controlled Avalanche Diode, Stufen mit hoher Ausgangsspannung und niedrigen Schaltverlusten, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV36E
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
BYV36E Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV36E Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV36E


SI Diode
GFX
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IF 1.5A
- -
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