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BYV36B


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 1.6A
- -
trr 100nS
UF / IF <1V/1A
TJ 175°C
die BYV36B ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 1.6A, Anwend: Controlled Avalanche Diode, Stufen mit hoher Ausgangsspannung und niedrigen Schaltverlusten, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV36B
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
BYV36B Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV36B Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV36B


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 1.6A
- -
trr 100nS
UF / IF <1V/1A
TJ 175°C
die BYV36B ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 1.6A, Anwend: Controlled Avalanche Diode, Stufen mit hoher Ausgangsspannung und niedrigen Schaltverlusten, "soft recovery"
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD57
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GFX
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IF 1.6A
- -
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UF / IF <1V/1A
TJ 175°C
die BYV36B ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 1.6A, Anwend: Controlled Avalanche Diode, Stufen mit hoher Ausgangsspannung und niedrigen Schaltverlusten, "soft recovery"
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-
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-
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