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2SJ19


SI P-FET Transistor
GFX
UDS -140V
IDS -0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 800mW
fT -
der 2SJ19 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 140V, Ids = 100mA, Anwend: NF- Stufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 2SJ19
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
2SJ19 Datenblatt (jpg):verfügbar
2SJ19 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

2SJ19


SI P-FET Transistor
GFX
UDS -140V
IDS -0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 800mW
fT -
der 2SJ19 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 140V, Ids = 100mA, Anwend: NF- Stufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Nippon Elect... [mehr]
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GFX
UDS -140V
IDS -0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 800mW
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