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2SJ18


SI P-FET Transistor
GFX
UDS -170V
IDS -5A
UGS -
RDS(ON) 16Ω
Ptot 63W
fT -
der 2SJ18 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 170V, Ids = 5A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 2SJ18
OEM:Sony Corpora... [mehr]
Sony Corporation, Japan
Gehäuse: TO-3
2SJ18 Datenblatt (jpg):verfügbar
2SJ18 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SK60
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

2SJ18


SI P-FET Transistor
GFX
UDS -170V
IDS -5A
UGS -
RDS(ON) 16Ω
Ptot 63W
fT -
der 2SJ18 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 170V, Ids = 5A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 2SJ18
OEM:Sony Corpora... [mehr]
Sony Corporation, Japan
Gehäuse: TO-3
2SJ18 Datenblatt (jpg):verfügbar
2SJ18 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SK60
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-
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SI P-FET Transistor
GFX
UDS -170V
IDS -5A
UGS -
RDS(ON) 16Ω
Ptot 63W
fT -
der 2SJ18 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 170V, Ids = 5A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Sony Corpora... [mehr]
Sony Corporation, Japan
Gehäuse: TO-3
2SJ18 Datenblatt (jpg):verfügbar
2SJ18 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SK60
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-
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