|
T812
SI PNP Transistor
|
|
|
UCE/UCB
|
-40/-50V
|
|
|
IC
|
-0.1A
|
|
hFE
|
60-600
|
|
Ptot
|
350mW
|
|
fT
|
-
|
|
TJ
|
150°C
|
|
Photo:
|
- |
|
Quelle:
|
KST812
|
| | Erweiterte Informationen zu T812 | | OEM: | Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD. | | Gehäuse: |
SOT-23 | | T812 Datenblatt (jpg): | - | | T812 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
| - | Ähnliche Typen:
| - | | Suchmaske Vergleichstyp: | Suche Vergleichstyp
|
|
| Bauteilsuche: | Suche |
|
