R
X
G
Seite:

T1009


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
der T1009 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 50mA, Anwend: AM/FM Verstärkerstufen
Photo: -
Quelle: KST1009
Erweiterte Informationen zu T1009
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T1009 Datenblatt (jpg):-
T1009 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T1009


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
der T1009 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 50mA, Anwend: AM/FM Verstärkerstufen
Photo: -
Quelle: KST1009
Erweiterte Informationen zu T1009
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T1009 Datenblatt (jpg):-
T1009 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T1009


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
der T1009 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 50mA, Anwend: AM/FM Verstärkerstufen
Photo: -
Quelle: KST1009
Erweiterte Informationen zu T1009
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T1009 Datenblatt (jpg):-
T1009 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche