Lookbooks
R
X
G
Seite:

T5551


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
der T5551 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 160V, Ic = 600mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KST5551
Erweiterte Informationen zu T5551
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T5551 Datenblatt (jpg):-
T5551 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T5551


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
der T5551 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 160V, Ic = 600mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KST5551
Erweiterte Informationen zu T5551
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T5551 Datenblatt (jpg):-
T5551 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T5551


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
der T5551 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 160V, Ic = 600mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KST5551
Erweiterte Informationen zu T5551
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T5551 Datenblatt (jpg):-
T5551 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche