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T5550


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
der T5550 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 140V, Ic = 600mA, Anwend: hohe Spannungen
Photo: -
Quelle: KST5550
Erweiterte Informationen zu T5550
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T5550 Datenblatt (jpg):-
T5550 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T5550


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
der T5550 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 140V, Ic = 600mA, Anwend: hohe Spannungen
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Quelle: KST5550
Erweiterte Informationen zu T5550
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T5550 Datenblatt (jpg):-
T5550 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T5550


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
der T5550 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 140V, Ic = 600mA, Anwend: hohe Spannungen
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