Transistor B711 - Ähnlicher Typ

B711

SI PNP darlington Transistor

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-6A

h_FE

1000

P_tot

50W

Time

2.2µS

T_J

der B711 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungstransistor

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Quelle:

2SB711

Erweiterte Informationen zu B711
OEM:	Sanken Elect... [mehr] Sanken Electric Co. Ltd Japan
Gehäuse:	TO-220
B711 Datenblatt (jpg):	-
B711 Datenblatt (pdf):	-
OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ:	2SD721
Ähnliche Typen: ↑	BD648, [mehr] BD648,BD900,BDW24B,BDW74B
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B711

SI PNP darlington Transistor

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-6A

h_FE

1000

P_tot

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der B711 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungstransistor

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B711

SI PNP darlington Transistor

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-6A

h_FE

1000

P_tot

50W

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der B711 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungstransistor

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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BD648

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C DC/AC

-8/-12A

h_FE

0.75-1.5k

P_tot

62.5W

f_T

7MHz

T_J

150°C

der BD648 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor

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Va Valvo Handbuch Transis...... [mehr]

Va Valvo Handbuch Transistoren Standardtypen 1974

Ähnlicher Typ: BD648
OEM:	Valvo GmbH
Gehäuse:	TO-220
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Komplementär Typ:	BD647
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BD648

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C DC/AC

-8/-12A

h_FE

0.75-1.5k

P_tot

62.5W

f_T

7MHz

T_J

150°C

der BD648 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor

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Ähnlicher Typ: BD648
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BD648

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C DC/AC

-8/-12A

h_FE

0.75-1.5k

P_tot

62.5W

f_T

7MHz

T_J

150°C

der BD648 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor

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Ähnlicher Typ: BD648
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BD900

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-8A

h_FE

>750

P_tot

70W

f_T

>1MHz

T_J

der BD900 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode

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Jaeger electronic catalog 1999

Ähnlicher Typ: BD900
OEM:	Texas Instru... [mehr] Texas Instruments
Gehäuse:	TO-220
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Komplementär Typ:	BD899
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BD900

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-8A

h_FE

>750

P_tot

70W

f_T

>1MHz

T_J

der BD900 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode

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Ähnlicher Typ: BD900
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BD900

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-8A

h_FE

>750

P_tot

70W

f_T

>1MHz

T_J

der BD900 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode

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Ähnlicher Typ: BD900
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Gehäuse:	TO-220
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BDW24B

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-6A

h_FE

0.75-20k

P_tot

50W

f_T

T_J

150°C

der BDW24B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungsstufen

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SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977

Ähnlicher Typ: BDW24B
OEM:	Ates Compone... [mehr] Ates Component Electronics (SGS)
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OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ:	BDW23B
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BDW24B

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-6A

h_FE

0.75-20k

P_tot

50W

f_T

T_J

150°C

der BDW24B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungsstufen

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SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977

Ähnlicher Typ: BDW24B
OEM:	Ates Compone... [mehr] Ates Component Electronics (SGS)
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BDW24B Datenblatt (jpg):	verfügbar
BDW24B Datenblatt (pdf):	verfügbar
OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ:	BDW23B
Ähnliche Typen: ↑	see BDW24B
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BDW24B

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-6A

h_FE

0.75-20k

P_tot

50W

f_T

T_J

150°C

der BDW24B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungsstufen

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SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977

Ähnlicher Typ: BDW24B
OEM:	Ates Compone... [mehr] Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse:	TO-220
BDW24B Datenblatt (jpg):	verfügbar
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OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ:	BDW23B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BDW74B

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-8A

h_FE

>750

P_tot

80W

f_T

>1MHz

T_J

der BDW74B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode

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Jaeger electronic catalog 1999

Ähnlicher Typ: BDW74B
OEM:	Texas Instru... [mehr] Texas Instruments
Gehäuse:	TO-220
BDW74B Datenblatt (jpg):	-
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Komplementär Typ:	-
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BDW74B

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

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U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-8A

h_FE

>750

P_tot

80W

f_T

>1MHz

T_J

der BDW74B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode

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Jaeger electronic catalog 1999

Ähnlicher Typ: BDW74B
OEM:	Texas Instru... [mehr] Texas Instruments
Gehäuse:	TO-220
BDW74B Datenblatt (jpg):	-
BDW74B Datenblatt (pdf):	-
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Komplementär Typ:	-
Ähnliche Typen: ↑	BD648, [mehr] BD648,BD900,BDX34B,BDX54B
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BDW74B

SI PNP darlington Transistor
ähnlich B711 siehe Anm.

GFX

U_CE/U_CB

-80/-80V

I_C

-8A

h_FE

>750

P_tot

80W

f_T

>1MHz

T_J

der BDW74B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode

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Ähnlicher Typ: BDW74B
OEM:	Texas Instru... [mehr] Texas Instruments
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BDW74B Datenblatt (pdf):	-
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