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B630


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -2A
hFE -
Ptot 25W
fT 4MHz
TJ -
der B630 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 2A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB630
Erweiterte Informationen zu B630
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-220
B630 Datenblatt (jpg):-
B630 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD610
Ähnliche Typen:BD240F, [mehr]
BD240F,2SA1133,2SB720,2SB861
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2SD610


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B630
GFX
UCE/UCB 200/250V
IC 2A
hFE -
Ptot 25W
fT 5MHz
TJ -
der 2SD610 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 200V, Ic = 2A, Anwend: NF- Stufen, Leistungs- Schalttransistor
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD610
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ: ↑2SB630
Ähnliche Typen:2SC2023, [mehr]
2SC2023,2SD772B
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