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B631


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1A
hFE -
Ptot 8W
fT 110MHz
TJ -
der B631 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB631
Erweiterte Informationen zu B631
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-126
B631 Datenblatt (jpg):-
B631 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD600
Ähnliche Typen: ↓BD140, [mehr]
BD140,BD231,BD380,2SA1184
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Bauteilsuche:Suche

B631


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1A
hFE -
Ptot 8W
fT 110MHz
TJ -
der B631 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB631
Erweiterte Informationen zu B631
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-126
B631 Datenblatt (jpg):-
B631 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD600
Ähnliche Typen: ↓BD140, [mehr]
BD140,BD231,BD380,2SA1184
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GFX
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IC -1A
hFE -
Ptot 8W
fT 110MHz
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der B631 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
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Komplementär Typ: ↓2SD600
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