| MG50Q2YS50
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 1200V | | | - | - | | IC | 78A | | Ptot | 400W | | fT | - | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba Databook 1996 | | | Erweiterte Informationen zu MG50Q2YS50 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-94D4A | | MG50Q2YS50 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | MG50Q2YS50 Datenblatt (jpg): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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