MG50Q2YS50 SI N-IGBT Transistor | | UCE | 1200V | | - | - | IC | 78A | Ptot | 400W | fT | - | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba Databook 1996 | | Erweiterte Informationen zu MG50Q2YS50 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-94D4A | MG50Q2YS50 Datenblatt (pdf): | verfügbar | MG50Q2YS50 Datenblatt (jpg): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
| - | Ähnliche Typen:
| - | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
|