GT5J311 SI N-IGBT Transistor | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 5/10A | Ptot | 45W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | datasheet | | Erweiterte Informationen zu GT5J311 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-10S2C_SM | GT5J311 Datenblatt (jpg): | - | GT5J311 Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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