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GT5J311


SI N-IGBT Transistor
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 5/10A
Ptot 45W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
der GT5J311 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 5A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu GT5J311
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-10S1C
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