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DF3A6.8FE


SI Z- Diode
GFX
UZ 6.8V
IZ 5mA
rdiff 10Ω
Ptot 0.1W
TJ 125°C
- -
die DF3A6.8FE ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 100mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 2- fach Diode
marking code: 6.8
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu DF3A6
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
DF3A6.8FE Datenblatt (jpg):-
DF3A6.8FE Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

DF3A6.8FE


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GFX
UZ 6.8V
IZ 5mA
rdiff 10Ω
Ptot 0.1W
TJ 125°C
- -
die DF3A6.8FE ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 100mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 2- fach Diode
marking code: 6.8
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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-
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-
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Bauteilsuche:Suche

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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.8V
IZ 5mA
rdiff 10Ω
Ptot 0.1W
TJ 125°C
- -
die DF3A6.8FE ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 100mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 2- fach Diode
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-
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-
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