R
X
G
Seite:

DF5A6.8F


SI Z- Diode
GFX
UZ 6.8V
IZ 5mA
rdiff 10Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 125°C
die DF5A6.8F ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 4- fach Diode
marking code: 6.8
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu DF5A6
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
DF5A6.8F Datenblatt (jpg):-
DF5A6.8F Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

DF5A6.8F


SI Z- Diode
GFX
UZ 6.8V
IZ 5mA
rdiff 10Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 125°C
die DF5A6.8F ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 4- fach Diode
marking code: 6.8
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu DF5A6
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
DF5A6.8F Datenblatt (jpg):-
DF5A6.8F Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

DF5A6.8F


SI Z- Diode
GFX
UZ 6.8V
IZ 5mA
rdiff 10Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 125°C
die DF5A6.8F ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 4- fach Diode
marking code: 6.8
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu DF5A6
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
DF5A6.8F Datenblatt (jpg):-
DF5A6.8F Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche