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ICTE-12
SI Suppressor Diode
U
R
12V
U
BR(R)
/U
CL(R)
16.1V
I
RSM
/I
PPM
1A
P
M
/P
PPM
1.5kW
T
J
175°C
-
-
die ICTE-12 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 16.1V, Anwend: Überspannungsschutz, Unipolar
Photo:
-
Quelle:
General Semiconductor Po......
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu ICTE-12
OEM:
General Semi...
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse:
1.5KE
ICTE-12 Datenblatt (jpg):
verfügbar
ICTE-12 Datenblatt (pdf):
verfügbar
OEM Datenblatt:
-
Komplementär Typ:
-
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↓
1N6376
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu ICTE-12
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