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ICTE-10
SI Suppressor Diode
U
R
10V
U
BR(R)
/U
CL(R)
13.7V
I
RSM
/I
PPM
1A
P
M
/P
PPM
1.5kW
T
J
175°C
-
-
die ICTE-10 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 13.7V, Anwend: Überspannungsschutz, Unipolar
Photo:
-
Quelle:
General Semiconductor Po......
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu ICTE-10
OEM:
General Semi...
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse:
1.5KE
ICTE-10 Datenblatt (jpg):
verfügbar
ICTE-10 Datenblatt (pdf):
verfügbar
OEM Datenblatt:
-
Komplementär Typ:
-
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↓
1N6375
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die ICTE-10 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 13.7V, Anwend: Überspannungsschutz, Unipolar
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu ICTE-10
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