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BZA100


SI Suppressor Diode
GFX
UR -
GFX
UBR(R)/UCL(R) 6.8V
IRSM/IPPM 200mA
PM/PPPM 1.6W
TJ 150°C
- -
die BZA100 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 6.8V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, 18- fach Diode, gemeinsame Anode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BZA100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT163-1
BZA100 Datenblatt (jpg):verfügbar
BZA100 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BZA100


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GFX
UR -
GFX
UBR(R)/UCL(R) 6.8V
IRSM/IPPM 200mA
PM/PPPM 1.6W
TJ 150°C
- -
die BZA100 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 6.8V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, 18- fach Diode, gemeinsame Anode
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT163-1
BZA100 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Komplementär Typ:
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Bauteilsuche:Suche

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IRSM/IPPM 200mA
PM/PPPM 1.6W
TJ 150°C
- -
die BZA100 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 6.8V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, 18- fach Diode, gemeinsame Anode
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