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BYV28-300


SI Diode
GFX
UR 300V
IF 3.5A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.83V/3.5A
TJ 175°C
die BYV28-300 ist eine Silizium Diode, U = 300V, I = 3.5A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV28-300
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYV28-300 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV28-300 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
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IF 3.5A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.83V/3.5A
TJ 175°C
die BYV28-300 ist eine Silizium Diode, U = 300V, I = 3.5A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), "soft recovery"
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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- -
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