Diode BYV28-600 Datenblatt

BYV28-600

SI Diode

GFX

U_R

600V

I_F

3.1A

t_rr

50nS

U_F / I_F

<0.98V/3.5A

T_J

175°C

die BYV28-600 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 3.1A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), "soft recovery"

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BYV28-600 1,25€ / 1

Erweiterte Informationen zu BYV28-600
OEM:	Philips Semi... [mehr] Philips Semiconductors
Gehäuse:	SOD64
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