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BYV1100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 1.7A
- -
trr 10nS
UF / IF <0.735V/1A
TJ 175°C
die BYV1100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 1.7A, Anwend: schneller Gleichrichter, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV1100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD81
BYV1100 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV1100 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV1100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 1.7A
- -
trr 10nS
UF / IF <0.735V/1A
TJ 175°C
die BYV1100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 1.7A, Anwend: schneller Gleichrichter, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV1100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD81
BYV1100 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Komplementär Typ:
-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV1100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 1.7A
- -
trr 10nS
UF / IF <0.735V/1A
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die BYV1100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 1.7A, Anwend: schneller Gleichrichter, "soft recovery"
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