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BYV2100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 2A
- -
trr 12.5nS
UF / IF <0.78V/2A
TJ 175°C
die BYV2100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 2A, Anwend: schneller Gleichrichter, Controlled Avalanche, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV2100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
BYV2100 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV2100 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV2100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 2A
- -
trr 12.5nS
UF / IF <0.78V/2A
TJ 175°C
die BYV2100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 2A, Anwend: schneller Gleichrichter, Controlled Avalanche, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV2100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
BYV2100 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Komplementär Typ:
-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV2100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 2A
- -
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UF / IF <0.78V/2A
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die BYV2100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 2A, Anwend: schneller Gleichrichter, Controlled Avalanche, "soft recovery"
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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-
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