Lookbooks
R
X
G
Seite:

1SS382


SI Diode
GFX
UR 80V
IF 100mA
- -
trr 1.6nS
- -
- -
die 1SS382 ist eine Silizium Diode, U = 80V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
marking code: A1
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1SS382
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
1SS382 Datenblatt (jpg):-
1SS382 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1SS382


SI Diode
GFX
UR 80V
IF 100mA
- -
trr 1.6nS
- -
- -
die 1SS382 ist eine Silizium Diode, U = 80V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
marking code: A1
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1SS382
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
1SS382 Datenblatt (jpg):-
1SS382 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1SS382


SI Diode
GFX
UR 80V
IF 100mA
- -
trr 1.6nS
- -
- -
die 1SS382 ist eine Silizium Diode, U = 80V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
marking code: A1
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1SS382
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
1SS382 Datenblatt (jpg):-
1SS382 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche