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1SS387


SI Diode
GFX
UR 80V
IF 100mA
Ptot 0.15W
trr 1.6nS
UF / IF <0.97V/100mA
TJ 125°C
die 1SS387 ist eine Silizium Diode, U = 80V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltdiode
marking code: C1
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1SS387
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
1SS387 Datenblatt (jpg):-
1SS387 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1SS387


SI Diode
GFX
UR 80V
IF 100mA
Ptot 0.15W
trr 1.6nS
UF / IF <0.97V/100mA
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die 1SS387 ist eine Silizium Diode, U = 80V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltdiode
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SI Diode
GFX
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Ptot 0.15W
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